內(nèi)應(yīng)力測(cè)量方法大體上可分為兩類(lèi)，即機(jī)械法和衍射法。機(jī)械法測(cè)量基片受應(yīng)力作用后彎曲的程度，衍射法則測(cè)量薄膜晶格常數(shù)的畸變。在這兩大類(lèi)中又分別有許多不同的方法，下面簡(jiǎn)單介紹幾種常用的方法。
    一、懸臂梁法

    將薄膜沉積在基片上，基片受到薄膜應(yīng)力的作用后將發(fā)生彎曲。當(dāng)薄膜的內(nèi)應(yīng)力為張應(yīng)力時(shí)，基片表面應(yīng)為由凹面向蒸發(fā)方向彎曲。當(dāng)薄膜的內(nèi)應(yīng)力為壓應(yīng)力時(shí)，蒸有薄膜的基片表面就成為凸面，向蒸發(fā)方向彎曲。根據(jù)這個(gè)原理，將長(zhǎng)條形基片的一端固定，另一端懸空，形成所謂懸臂梁，如圖7一9所示。當(dāng)基片蒸發(fā)上薄膜后，受薄膜應(yīng)力的影響基片發(fā)生形變，懸空的一端將發(fā)生位移，測(cè)量位移量并應(yīng)用給定的公式就可算出薄膜中的內(nèi)應(yīng)力。為了便于測(cè)量，并達(dá)到較高的靈敏度，要求基片彈性好。厚度均勻、厚度與長(zhǎng)度的比值很小。常用的基片是云田片和玻璃片，有時(shí)也用硅、銅、鋁和鎳等金屬片。這種方法的靈敏度取決于能檢測(cè)出的基片一端的最小位移量。